Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ V-NAND TLC thế hệ thứ 9

Samsung vừa chính thức đi vào sản xuất hàng loạt các chip nhớ TLC V-NAND thế hệ thứ 9, dung lượng 1 Tb. Chip nhớ mới sẽ có kích thước nhỏ hơn trong khi tăng 50% mật độ so với thế hệ trước đây. Không chỉ vậy, V-NAND thế hệ 9 cũng tích hợp nhiều công nghệ như cell interference avoidance (chống nhiễu giữa các ô nhớ), cell life extension (kéo dài tuổi thọ ô nhớ) để cho phép chip nhớ bền hơn, độ tin cậy khi hoạt động cao hơn. Kỹ thuật channel hole etching (khắc lỗ kênh) cũng được ứng dụng để tối đa hóa năng suất.

Channel hole etching tạo ra các đường dẫn electron bằng cách xếp chồng nhiều lớp khuôn, tối đa hóa năng suất nhờ việc cho phép khoan đồng thời số lớp ô nhớ cao nhất trong ngành công nghiệp, theo cấu trúc xếp chồng kép (double-stack structure). Khi số lượng lớp ô nhớ (cell layer) nhiều hơn và phải khoan xuyên qua số lượng ô nhớ cao hơn, điều kiện bắt buộc là phải sở hữu kỹ thuật khắc (etching) hiện đại và tinh vi hơn.

Thêm điểm nhấn khác của chip nhớ Samsung TLC V-NAND thế hệ 9 là sử dụng giao diện “Toggle 5.1” mới, cải thiện 33% tốc độ nhập/xuất dữ liệu, lên tới 3.2 Gbps. Những cải tiến kỹ thuật của V-NAND mới sẽ giúp tiết kiệm năng lượng tiêu thụ 10%. Theo kế hoạch, hãng sẽ sử dụng chip nhớ mới với giao diện Toggle 5.1 cho các mẫu PCIe 5.0 SSD hiệu năng cao, tăng thêm lựa chọn lưu trữ trên thị trường cao cấp cũng như đáp ứng nhu cầu trong xu thế AI. Hiện tại Samsung 990 EVO là mẫu PCI 5.0 SSD duy nhất của hãng. Nửa cuối 2024 là khoảng thời gian Samsung bắt đầu đi vào sản xuất thêm chip nhớ QLC V-NAND thế hệ 9.