Sản phẩm
Tin tức
Chính Sách Đại Lý
Hỗ Trợ
Nếu mọi chuyện diễn ra tốt đẹp sau khi thử nghiệm, việc sản xuất hàng loạt theo quy mô công nghiệp sẽ diễn ra vào Q2 2025 tới. Điều đó tức là năm sau, chúng ta hoàn toàn có thể thấy được những thành phẩm bán dẫn GAAFET do TSMC cung cấp trên tiến trình 2 nm.
Trong ngành công nghiệp bán dẫn, việc nghiên cứu ra quy trình sản xuất và việc triển khai hàng loạt là 2 giai đoạn độc lập, thông thường khoảng cách giữa chúng rơi vào từ 6 tháng tới 1 năm tuỳ theo độ khó. Riêng với node 2 nm, đây là dây chuyền đầu tiên mà TSMC áp dụng kỹ thuật GAAFET có độ phức tạp cao hơn FinFET. Bản thân công ty này cũng đưa ra dự đoán nó sẽ mất nhiều thời gian để triển khai hơn các node FinFET hiện có.
Node 2 nm (N2) mới sẽ được sản xuất thử nghiệm tại cơ sở mới của TSMC trong khuôn viên Bảo Sơn (Baoshan), thuộc Khu Khoa học Tân Trúc (Hsinchu) phía bắc đảo Đài Loan. Nếu mọi thứ suôn sẻ như kế hoạch, TSMC sẽ đi vào sản xuất hàng loạt trong Q2 năm tới. Nhưng từ giờ cho tới lúc đó, N3 (FinFET) sẽ vẫn tiếp tục là công nghệ bán dẫn mới nhất của công ty Đài Loan này.
Hiện tại ngoài TSMC, Samsung là công ty thứ 2 trên thế giới cung cấp dịch vụ gia công chip 3 nm, tuy nhiên doanh nghiệp Hàn Quốc đã nhanh chân hơn, triển khai kỹ thuật GAAFET từ trước. Dự kiến tới 2025, Samsung cũng sẽ ra mắt node 2 nm mới, đương nhiên dựa trên GAAFET. Đó sẽ là một thời điểm thú vị để chúng ta xem thử GAAFET của công ty nào "tốt" hơn (trên lý thuyết, transistor GAAFET có hiệu năng tốt hơn FinFET). Còn Intel (Intel Foundry Services) dự kiến cũng sẽ "chào sân" node 20A (tương đương 2 nm) dựa trên GAAFET vào năm sau. Dự đoán khoảng thời gian từ cuối năm 2024 trở đi sẽ là cuộc chiến vừa khốc liệt vừa hấp dẫn giữa các công ty bán dẫn, đồng thời người dùng bắt đầu có những tiến bộ công nghệ đáng để mong chờ.
