Samsung hướng đến chip NAND 1000-layer vào năm 2030, ổ SSD có thể đạt dung lượng đến 1000 TB

Đây là thông tin được Samsung tiết lộ trong lộ trình hệ sinh thái SSD của hãng tại hội nghị Samsung Tech Day 2022. Hãng đang hướng đến mục tiêu tạo ra chip NAND với 1000-layer vào năm 2030 và loại NAND này sẽ có thể đưa dung lượng của SSD lên đến 1 PB.

Trên thị trường SSD hiện tại thì cả Samsung lẫn các hãng đối thủ như SK Hynix và Micron đều đang cố gắng tăng số lớp của chip NAND, từ đó chi phí cho mỗi TB đã giảm đi đáng kể. Hiện tại SK Hynix đã công bố NAND 238-layer, Micron đã đạt 232-layer trong khi Samsung dự kiến sẽ ra mắt 236-layer NAND trước khi năm 2022 kết thúc.


NAND nhiều lớp không chỉ có nghĩa sản phẩm cuối sẽ rẻ hơn mà còn mang lại mật độ lưu trữ cao hơn. Như chiếc SSD dung lượng cao nhất hiện tại của Nimbus Data với 100 TB, form ổ 3,5", nó dùng MLC NAND 64-layer (dòng này thiết kế dành cho doanh nghiệp nên ưu tiên về tính ổn định và độ bền) và nếu như chip NAND có thể đạt đến 1024-layer với các loại TLC/QLC NAND thì dung lượng của ổ có thể đạt đến 1 PB.

Dĩ nhiên không phải ai cũng cần đến một chiếc ổ có dung lượng đến cả ngàn TB nhưng những trung tâm dữ liệu, những công ty cung cấp dịch vụ lưu trữ đám mây chắc chắn sẽ cần đến.


Samsung PM1643 hiện là chiếc ổ SSD có dung lượng lớn nhất của Samsung (30.72 TB), form 2.5" dành cho doanh nghiệp.

Bên cạnh lộ trình cho NAND 1000-layer thì tại hội nghị Samsung cũng đã công bố các chip TLC V-NAND 1 Tb đã sẵn sàng để chuyển giao cho các khách hàng (các hãng làm SSD) vào cuối năm 2022. Dung lượng đế chip 2 Tb sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2024, tiếp tục với 4 Tb vào năm 2026, 8 Tb vào 2028 và 16 Tb vào 2030. Song song với TLC, Samsung cũng đang tăng tốc chuyển đổi sang QLC NAND. Chưa có thông tin về PLC NAND - công nghệ NAND có thể lưu 5 bit dữ liệu mỗi cell, cho mật độ cao nhất từ trước đến nay.

                                                           Source : Techradar and tinhte