Dù bị cản trở bởi lệnh trừng phạt của Mỹ, Huawei và SMIC vẫn có kế hoạch sản xuất chip 3nm

​

Rất có thể các lệnh trừng phạt của Mỹ nhằm ngăn cản Huawei có được những con chip tiên tiến sẽ thất bại. Đó là bởi vì Huawei đã nộp bằng sáng chế để sử dụng kỹ thuật in thạch bản tạo khuôn gấp bốn tự liên kết (SAQP) để chế tạo chip 3nm bằng kỹ thuật đa khuôn mẫu.

Các kỹ thuật đa mẫu là chủ đề của một bằng sáng chế khác do SiCarrier đệ trình, đây là công ty sản xuất chip do nhà nước tài trợ, xác nhận rằng xưởng đúc lớn nhất Trung Quốc SMIC quan tâm đến việc sử dụng SAQP để sản xuất chip 3nm cho Huawei bằng máy in thạch bản Deep Ultraviolet (DUV).

Hiện tại, chỉ có TSMC và Samsung Foundry đang chế tạo các chipset smartphone 3nm sử dụng kỹ thuật quang khắc cực tím (EUV) để khắc các mẫu mạch cực mỏng, độ phân giải cao trên tấm silicon. Trong khi các lệnh trừng phạt của Mỹ ngăn chặn việc các xưởng đúc sử dụng công nghệ Mỹ cung cấp chip "tiên tiến" cho Huawei, thì chỉ có một công ty là ASML sản xuất máy EUV và Hà Lan đã cấm công ty này vận chuyển các máy có kích thước bằng xe buýt tới các công ty Trung Quốc.

Các chuyên gia đồng ý rằng Huawei và nhà sản xuất chip SMIC có thể sử dụng SAQP, máy in thạch bản cực tím sâu thế hệ trước và nhiều khuôn mẫu để sản xuất chip 5nm. Tuy nhiên, các chuyên gia này khẳng định rằng EUV là cần thiết cho silicon 3nm. Ngay cả khi đó, việc tạo mẫu kép vẫn cần thiết để sản xuất chip 3nm bằng công cụ EUV Low-NA. Huawei và SMIC tin rằng với SAQP, họ sẽ có thể tạo ra chip 3nm bằng cách sử dụng các máy DUV cũ hơn và có khả năng kém hơn đã được SMIC mua trước khi lệnh trừng phạt có hiệu lực.